日前，IBM宣布已制造出世界首个2nm制程芯片。

据报道，IBM的新型2nm芯片每平方毫米（MTr / mm 2）有约3.33亿个晶体管。作为比较，台积电和三星的7nm制程大约在每平方毫米9,000万个电晶体左右，三星的5LPE为1.3亿个电晶体，而台积电的5nm则是1.7亿个电晶体。

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此外，IBM预计，这款2nm架构芯片在同样的电力消耗下，性能比当前7nm高出45%，输出同样性能时则减少75%的功耗。

目前量产的制程技术中，领先的为台积电的5nm，由苹果的M1、A14芯片及华为的Kirin 9000采用，其次为三星的5LPE，用在Snapdragon 888芯片上，其后则为被广泛采用的7nm制程。而在向更先进制程推进上，台积电的4nm与3nm预计明年量产，而2nm仍处于相对较早的开发阶段。英特尔的7nm制程芯片（英特尔的制程技术电晶体密度较高，因此约略介于台积电的5nm与4nm之间）则预计2023年投产。