IFWS2020:超宽禁带半导体技术分会举行

极智头条

11月23-25日,由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)与第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办,南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十七届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2020)暨2020国际第三代半导体论坛(IFWS 2020)在深圳会展中心召开。


24日上午,德国爱思强股份有限公司协办的“超宽禁带半导体技术”分会如期举行。分会期间,日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授郭其新,上海光学精密机械研究所研究员夏长泰,湖北大学材料工程学院教授何云斌,西安交通大学副教授李强,郑州大学教授、河南省电子材料与系统国际联合实验室国家电子材料与系统国际联合研究中心主任刘玉怀,德国爱思强股份有限公司市场和工艺部门经理方子文,山东大学晶体材料国家重点实验室副教授张雷,中国电科十三所重点实验室高级工程师王元刚等来自国内外高校、科研院所、企业的精英代表将带来精彩报告,分享前沿研究成果。

中国科学院微电子研究所研究员,中国科学院院士刘明和山东大学晶体材料国家重点实验室主任、教授陶绪堂共同主持了本届分会。


日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授郭其新分享了超宽带隙氧化镓的低温生长和表征的研究成果。报告分享了氧等离子体辅助PLD低温生长(AlGa)2O3薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构和光学性能的影响。此外,还将介绍这些超宽氧化物半导体生长的最新进展。


上海光学精密机械研究所研究员夏长泰分享了极宽禁带半导体氧化镓单晶掺质之实践与思考。报告讨论了在这一方面的具体实践,并就其未来发展趋势予以探讨。主要讨论氧化镓的n型新掺质方案及其结果,重点是掺质氧化镓的基本物理特性及其应用价值。


湖北大学材料工程学院教授何云斌带来了“高性能基于氧化镓的日盲光电探测器的开发”的主题报告,从Ga2O3外延薄膜的制备、特性及PDs研究,基于超宽带隙(ScGa)2O3合金薄膜的UV-PDs等角度分享了最新研究进展。


西安交通大学副教授李强分享了磁控溅射沉积hBN薄膜的最新进展。研究采用射频溅射法制备了基于hBN/BAlN薄膜的深紫外DBRs。还研究了不同材料氮化硼薄膜的异质结特性。


郑州大学教授、河南省电子材料与系统国际联合实验室国家电子材料与系统国际联合研究中心主任刘玉怀分享了金刚石衬底上六方相氮化硼薄膜的有机金属气相外延的最新进展。六方相氮化硼和金刚石均为下一代电子器件和光电子器件的优异材料,二者的结合可望带来更佳特性,但鲜见金刚石上生长六方相氮化硼的报道。研究首次展示利用有机金属气相外延方法在金刚石衬底上生长六方相氮化硼薄膜。


德国爱思强股份有限公司市场和工艺部门经理方子文分享了先进的光电、功率和射频技术解决方案。


山东大学晶体材料国家重点实验室副教授张雷分享了温度梯度对PVT法生长AlN晶体的影响,从高纯多晶料制备、温场调控、生长功率对温度场分布的影响规律、测温孔对温度场分布的影响规律、坩埚位置对温度场分布的影响规律、自发成核生长验证、籽晶粘结同质生长扩径、高温压电性能研究等角度分享了研究进展。


中国电科十三所重点实验室高级工程师王元刚带来了“高性能Ga2O3  SBD功率器件研究”的主题报告,分享了最新研究成果。报告指出,超宽禁带氧化镓功率器件兼备高耐压、低电阻和低成本三重优势,是未来支撑轨道交通、新能源汽车等产业创新发展和转型升级的重点核心电子元器件。PECVD淀积介质存在较为严重的界面态,场板技术无法充分发挥作用。通过引入热氧化技术、自对准空气桥技术以及自氧化P型NiO技术,大幅提升氧化镓SBD功率器件耐压性能。探索新型高耐压终端结构改善器件耐压、降低比导通电阻、增大器件耐受功率以及寻求器件散热新途径是未来氧化镓功率器件发展的主要攻关方向。

(内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)

分享科技智慧
立即打开