重庆大学曾正:碳化硅功率模块的先进封装测试技术

极智头条

近日,由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)与第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办,南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十七届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2020)暨2020国际第三代半导体论坛(IFWS 2020)在深圳会展中心召开。


期间,由广东芯聚能半导体有限公司,中电化合物半导体有限公司,英诺赛科(珠海)科技有限公司共同协办的功率电子器件及封装技术分会上,重庆大学电气工程学院副教授曾正分享了碳化硅功率模块的先进封装测试技术的最新进展。

相对于硅基功率器件,碳化硅功率器件的开关速度更快、芯片面积更小、绝缘耐压更高、杨氏模量更大,给碳化硅功率模块的封装测试技术提出了严峻挑战。面向电动汽车、新能源发电等应用领域,针对碳化硅功率模块的发展趋势与技术壁垒,报告探讨碳化硅功率模块的高温、高压、高可靠、低感、低热阻等先进封装技术,以及碳化硅功率模块的低成本、高精度、高阻抗、低干扰等先进测试技术,为碳化硅功率器件的封装测试和工业应用提供新的思路和方法。


报告指出功率半导体行业涉及跨学科交叉,包括很长的产业链,是复杂的系统工程,环环相扣,晶圆材料、芯片制造、封装测试、应用集成等缺一不可;先进封装技术是发挥SiC器件优异性能的关键;先进测试技术是表征SiC器件电热性能的关键;急需产-学-研的协同创新,人才、资本、技术和市场的有机整合。

曾正目前的研究领域包括新型功率器件封装集成与系统应用、新能源并网变流器运行控制与可靠性等。目前主持国家重点研发计划子课题2项、国家自然科学基金1项、重庆市自然科学基金1项,已主持完成横向和其他各类项目8项。出版学术专著2部,发表SCI/EI期刊论文100余篇(其中IEEE/IET会刊20余篇),入选ESI高被引论文1篇,入选“中国精品科技期刊顶尖论文(F5000)”1篇,获评中国电机工程学会优秀论文4篇,被引2000余次,H影响因子26,授权发明专利10项,曾获浙江大学优秀博士学位论文奖、GE基金会科技创新奖等奖励多项。


(内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)

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