近日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）与第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十七届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2020）暨2020国际第三代半导体论坛（IFWS 2020）在深圳会展中心召开。

期间，由广东芯聚能半导体有限公司、英诺赛科(珠海)科技有限公司、中电化合物半导体有限公司共同协办的“新一代电源及充电应用峰会”分会上，苏州量芯微半导体有限公司总经理傅玥结合具体的解决方案，从结构、特性、技术路线、商业模型等多个角度，分享了氮化镓功率器件的主要应用以及市场趋势等内容。

氮化镓功率器件具有没有雪崩击穿，更加类似于介质击穿；没有p-型氮化镓管，模拟/数字IC的设计与硅不同；最大门级电压被限制在了7V，且与现有硅驱动IC不兼容；虽然GaN材料特性远好过硅，且有高电子迁移率的二维电子气，受制于横向器件，其优点未能完全发挥等特性。

过去30年，超结MOS芯片面积不断减小，然而氮化镓却是一个质的飞跃。工业界驱动集成的氮化镓芯片分为两类，一类是单片集成，另一类是共封集成；单片集成可以最大程度消除驱动回路的寄生参数，让系统工作在更高的频率；共封装使用的硅驱动IC能提供更加全面的驱动和保护功能；目前两种方案都有公司在做，也都用在了不同的适配器里面。

就氮化镓市场趋势来看，未来三年，氮化镓功率器件主要在快充，激光雷达，数据中心，电动汽车及无线充电五个应用方向。2023年全球氮化镓功率市场预测在1.5亿到4亿美元之间。

2023年氮化镓功率器件在快充/适配器行业预计能达到2亿美元；全球适配器年产量至少在30亿只以上，如果所有适配器均配氮化镓器件，则氮化镓功率器件仅在适配器市场应用就有30亿美元（按每个适配器配1美元GaN器件计算）。随着技术的进步和成本的下降，氮化镓将在中小功率应用里面逐步取代硅MOSFET（尤其是超结MOSFET)

（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）