2020年11月23-25日，第十七届中国国际半导体照明论坛暨2020国际第三代半导体论坛（SSLCHINA&IFWS 2020）将在深圳会展中心举行。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办。南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。

广州南砂晶圆半导体技术有限公司研发中心主任、山东大学副教授彭燕将出席论坛，并在“衬底、外延及生长装备”技术分会上，分享《SiC单晶材料及产业化进展》主题报告。

彭燕

广州南砂晶圆半导体技术有限公司研发中心主任、山东大学副教授

彭燕，凝聚态物理博士，山东大学副教授/博士研究生导师，广州南砂晶圆半导体技术有限公司研发中心主任。2011年6月毕业于山东大学，同年加入晶体材料国家重点实验室工作。2017-2018年在美国田纳西大学做访问学者。

主要从事宽禁带半导体材料研究工作，重点研究SiC、金刚石材料的制备、表征及应用研究，先后主持、参与国家基础研究计划、973、核高基及自然科学基金项目等10余项，发表SCI论文40余篇，申请/授权专利近30项。

广州南砂晶圆半导体技术有限公司公司成立于广州市南沙自贸区，是聚焦碳化硅单晶材料的高新技术企业。公司以山东大学徐现刚教授团队近年来研发的最新技术成果为基础，同山东大学开展全方位产学研用合作。项目规划总投资9亿元，预计实现年产碳化硅衬底晶片20万片。

碳化硅单晶是宽带隙半导体材料的典型代表，具有禁带宽、热导率大等优越的物理性质，具有耐高温、耐高压、抗辐照、高频、高效的特性，已获得广泛应用。导电型 SiC 单晶主要用于高电压大电流的电力电子器件，包括肖特基二极管(SBD)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等，广泛应用于电动汽车、工业电力系统、高铁等领域。半绝缘 SiC单晶主要用于微波射频器件，如高电子迁移率晶体管(HEMT)，具有大功率密度、耐高温、抗辐射等优点，广泛应用于5G通讯、雷达、卫星通讯等领域。

公司在规划自有厂房的同时，已经在南沙珠江工业园建设约 3000平方米厂房，先后投入1亿元购置晶体生长炉和相关衬底加工设备，力争以最快速度实现产业化。产品以4英寸、6英寸导电和半绝缘SiC衬底为主，以后将视市场需求不断丰富产品线。

“衬底、外延及生长装备”技术分会是北京大学物理学院教授、理学部副主任沈波，山东大学教授、晶体材料国家重点实验室副主任徐现刚领衔担任分会主席，中国科学院苏州纳米所研究员徐科、中科院长春光机所研究员黎大兵、河北工业大学教授毕文刚、中电科装备集团有限公司首席技术官王志越、中微公司高级副总裁杜志游，北方华创科技集团股份有限公司副总裁、首席科学家吴军，江苏南大光电材料股份有限公司技术总监杨敏等来自产业链不同环节的中坚力量共同担任分会委员。

期间，彭燕主任将与日本名古屋大学教授宇治原彻，澳大利亚格里菲斯大学昆士兰微纳米技术中心研究员Jisheng HAN，沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学副教授Iman S. ROQAN将，中微半导体设备（上海）股份有限公司副总裁兼MOCVD产品事业部总经理郭世平，苏州纳米技术与纳米仿生研究所副研究员张璇，深圳大学副教授刘新科，江苏南大光电材料股份有限公司CTO/副总裁杨敏，北京大学物理学院高级工程师杨学林一起为大家奉献精彩主题报告。

据了解，本届论坛紧扣国家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策，以“把握芯机遇·助力新基建”为主题，届时两场国际性盛会同台亮相，先进技术热点高度聚焦，政产学研用行业领袖齐聚，共商未来产业发展大计。

11月23-25日，深圳见！

日程如下：

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