【SSL CHINA&IFWS2020】热点追踪固态紫外器件技术

极智头条
第三代半导体材料禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高等优越性质。其中氮化物材料是第三代半导体材料中最引人瞩目的材料,尤其是GaN(氮化镓)基光电子器件在白光照明领域非常成功。紫外LED也是目前氮化物技术发展和第三代材料技术发展的主要趋势,随着环保及公共安全等领域的需求升级,固态紫外技术拥有广阔的应用前景。

2020年11月23-25日,第十七届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2020)暨2020国际第三代半导体论坛(IFWS 2020)将在深圳会展中心举行。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办。南方科技大学与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。

其中,“固态紫外器件技术”分会重点兲注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料,以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料,高效量子结构设计及外延,以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。分会还将涵盖紫外器件的先迚封装材料及技术,包括光提取、热管理及器件可靠性的提升方法等,力图全面呈现第三代半导体紫外发光和探测领域在材料、器件、封装及应用等各层面的国内外最新迚展。

中科院半导体所研究员、半导体照明研发中心主任王军喜与厦门大学教授康俊勇将共同领衔担任本届分会主席。南京大学教授陆海、台湾交通大学特聘教授郭浩中、华中科技大学教授陈长清、沙特国王科技大学副教授李晓航等国内外专家联袂组成分会委员团,为分会提供强力支持。来自国内外高校、科研院所、企业的精英代表将带来精彩报告,分享前沿研究成果。

北京大学教授、北京大学东莞光电研究院院长王新强将分享超高功率深紫外线光源在消毒中应用的最新进展。中国科学院半导体研究所研究员, 山西中科潞安紫外光电科技有限公司副总经理闫建昌将做题为”氮化物深紫外LED研发方向:从二维材料到纳米结构“的主题报告。厦门大学教授蔡端俊将分享氯离子局域场驱动的快速除氢p型增强技术及深紫外LED效率提升的最新研究成果。厦门三安光电股份有限公司副总经理GaN事业部总经理张中英将分享AlGaN基深紫外LED器件的最新进展。中科院宁波材料所副研究员郭炜将做”铝镓氮深紫外量子阱及LED:斜切角衬底及横向极性畴的影响研究“的主题报告。湖北大学材料科学与工程学院教授黎明锴将分享关于Hf掺杂SnO2实现高性能日盲紫外光探测器的最新研究进展。

本届论坛紧扣国家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策,以“把握芯机遇·助力新基建”为主题,届时两场国际性盛会同台亮相,先进技术热点高度聚焦,政产学研用行业领袖齐聚,共商未来产业发展大计。

11月,深圳见!

会议具体信息如下:



更多大会详细设置与内容请参加大会官网:
http://www.sslchina.org/

部分嘉宾

分会主席:王军喜  中科院半导体所研究员
中国科学院半导体照明研发中心副主任,中科潞安半导体研究院院长。自2003年至今在中国科学院半导体研究所工作。从事氮化物材料生长和器件研制工作,熟悉MOCVD 、MBE和HVPE生长设备和相关材料分析表征方法。使用国产NH3-MBE生长设备,获得了具有当时国际水平的高迁移率GaN外延片;做为骨干科研人员,所在小组研制成功了压电极化效应诱导的高质量AlGaN/GaN二维电子气结构材料,并用所研制的材料与信息产业部第十三研究所合作研制出了我国第一只氮化物高温HEMT器件;负责自主设计并制备了一台HVPE厚膜GaN材料生长设备,获得了厚膜GaN材料生长速率超过了每小时200μm,晶体质量位于国内领先水平;在“十一五”期间,负责氮化物MOCVD材料生长研究,主要方向为GaN基LED材料生长研究和紫外LED材料生长研究。

分会主席:康俊勇  厦门大学教授
厦门大学“物理学”一级学科博士点、“微电子学与固体电子学”二级学科工科博士点学术带头人、“凝聚态物理”国家重点学科主要学术带头人。长期从事化合物半导体晶体生长及其特性表征的教学和科研工作。主持过国家“973”、“863”、国家自然科学基金重大研究计划和重点项目等数十项研究。先后研发了首台强磁场晶体生长、纳米级空间分辨率应变和电荷测试、原位纳米结构综合测试等设备。

在高Al组分AlGaN量子结构等设计与生长及其深紫外表面等离子激元光源研发方面,取得了系列开拓性成果,被同行称为“表面等离子激元深紫外光子学研究第一人”。在新型太阳能电池研发方面,首次将宽带隙半导体调制到对太阳光中红外线有效吸收,该成果2012年以“厦大研发新型太阳能光伏电池”名称被列入最新十二大太阳能光伏电池新技术。在低维晶格及其耦合诱导的半导体新功能及其应用方面,取得多项重要的研究进展,获得了国内外同行的高度评价。

先后建立了超高真空、极低温、强磁场、晶体生长及原位综合测量等实验条件;建立了福建省半导体材料及应用重点实验室、半导体微纳光电子材料与器件教育部工程研究中心,被誉为“厦门大学实验物理奠基人”。荣获“福建省先进工作者”、“厦门市劳动模范”等称号。同时,推动了国家半导体照明产业化基地(厦门)的建设工作,牵头与行业龙头企业等创建了福建省半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心,为厦门成为国家乃至世界的半导体产业重镇做出重要贡献,荣获“厦门市科技创新杰出人才”。

王新强  北京大学教授
北京大学物理学院教授,教育部长江特聘教授,国家杰出青年基金获得者,万人计划中青年领军人才,主要从事宽禁带半导体材料、物理与器件研究,发表SCI论文160余篇,SCI引用逾2500次,在国内外学术会议上做邀请报告30余次,担任Elsevier出版社“Superlattices and Microstructures”编辑,NPG出版社“Scientific Reports”和Wiley出版社Physica Status Solidi系列编委。

闫建昌 中国科学院半导体研究所研究员
中国科学院青年创新促进会会员,北京市科技新星计划入选者。长期从事氮化物半导体材料和器件研究,尤其专注于氮化镓半导体紫外发光二极管(UVLED)领域十余年,负责国家863计划、自然科学基金、重点研发计划等多项国家级科研项目,取得了具有国际影响力的研究成果。与美国、日本、欧洲等多国的领域著名研究机构开展了学术交流合作,并与产业界建立了良好的互动合作关系。

主持承担国家863课题“深紫外LED外延生长及应用技术研究”,国际上首次在纳米图形蓝宝石衬底(NPSS)上MOCVD外延出高质量AlN材料,材料质量为国际最好水平之一,研制出首支基NPSS的深紫外LED。相关研究获得SemiconductorToday、CompoundSemiconductors等半导体界知名网站报导。主持自然科学基金项目“AlGaN基紫外激光二极管研究”,成功实现了国内首个UV-B和UV-C深紫外波段氮化物半导体量子结构的室温受激发射。发表学术论文五十余篇,申请国家发明专利三十多项。获中科院成果鉴定两项,2012年度北京市科学技术奖一等奖、2015年度国家科学技术进步奖二等奖,2018年度北京市科技新星计划入选者。

蔡端俊  厦门大学教授
2011年加入厦门大学物理科学与技术学院,担任副教授和正式教授。2013年担任国立台湾大学兼职副教授,并于2016年担任美国杜克大学客座教授。他一直是氮化物半导体,生物物理学,纳米科学和纳米技术的先驱,他提出了用于深紫外LED的AlGaN新型异质结构,基于AES的非接触电表征方法,萤火虫生色团的生物异质结的原始概念,超细和超长Cu纳米丝作为透明电极的合成以及单层的超大尺寸增长 h-BN膜。他是美国物理学会,美国生物物理学会,美国化学学会和P.R.C.半导体学会的成员。他在同行评审的期刊和国际会议上发表了80多篇论文,并且是40多项专利的主要发明者。

郭炜  中国科学院宁波材料技术与工程研究所副研究员
研究方向为第三代半导体材料与器件。主要研究兴趣包括高铝组分AlGaN 材料的MOCVD 外延、氮化物极性调控及新型光电子/电力电子器件、紫外LED/激光器的开发及光子提取研究、紫外专用MOCVD设备等。郭博士目前主持、参与科技部重点研发计划、宁波市“科技创新2025重大专项”、国家自然科学基金面上/青年基金、浙江省重点研发计划等课题,在SCI 期刊杂志发表论文40余篇,论文引用近1000余次,申请中国发明专利10余项。
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