东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）推出1200V碳化硅(SiC) MOSFET “TW070J120B”。该产品面向大容量电源等工业应用。

该功率MOSFET采用新材料SiC，与常规的硅(Si) MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，因此有利于降低功耗，精简系统。

这款新器件采用可提高SiC MOSFET可靠性的东芝第二代芯片设计生产，具有低输入电容、低栅输入电荷、低漏源导通电阻等特性。与东芝的1200V硅绝缘栅双极晶体管(IGBT) “GT40QR21”相比，其关断开关损耗降低80%左右，开关时间（下降时间）大约缩短70%，并且能够在不超过20A的漏极电流下提供低导通电压。

其栅阈值电压设置在4.2V至5.8V的较高电压范围内，有助于降低故障风险（意外开启或关闭）。此外，内置的具有低正向电压的SiC肖特基势垒二极管(SBD)也有助于降低功耗。

在大容量AC-DC转换器、光伏逆变器、大容量双向DC-DC转换器等工业应用中，这款新型MOSFET将不仅通过降低功耗来达到提高效率的目的，而且也有助于缩小设备尺寸。

应用场景

大容量AC-DC转换器

光伏逆变器

大容量双向DC-DC转换器

特性

第二代芯片设计（内置SiC SBD）

高电压、低输入电容、低总栅电荷、低导通电阻、低二极管正向电压、高栅阈值电压：

VDSS=1200V，Ciss=1680pF（典型值），Qg=67nC（典型值），RDS(ON)=70mΩ（典型值），VDSF=-1.35V（典型值），Vth=4.2～5.8V

易于操作的增强类型

主要规格