据报道，美国加州大学圣塔芭芭拉分校（University of California, Santa Barbara，UCSB）研究团队与诺贝尔奖得主中村修二先生共同开发了一种制造无荧光粉白色半极化LED的新方法，并且可望作为背光源使用。研究结果已发表在《光学快报》（Optics Express）期刊上。

通常情况下，白色LED由蓝色LED与黄色荧光粉结合制成，而由荧光粉转换而来的白色LED往往会出现能量损耗及热稳定性下降等问题，但无荧光粉的LED难以实现。不过，UCSB团队提出了一个较为容易的制造方法，可直接在氮化镓衬底上生长出高效的白色半极化LED。

据悉，研究团队在块状氮化镓衬底上采用蓝色量子阱（顶部）和黄色量子阱（底部）生长出无荧光粉的白色InGaN（铟镓氮）LED，这些LED发射波长峰值为427mn的蓝光及560nm的黄光，输出功能为0.9mW。

图片来源: (Li et al., 2020)

研究者认为，无荧光粉的高效LED作为背光源的前景可期，有望实现用于可见光通讯LiFi中的Micro LED。

据了解，业内关于无荧光粉LED照明的研究一直都在开展中。

2016年，韩国KAIST也提出了一个制造方法：以半导体芯片取代荧光粉。顶部为同心圆模样的金字塔结构，设计成复合结构体。制造出的3D结构体各个面以不同条件形成量子阱，各发出不同的颜色。KAIST表示，通过调整制造3D结构体的时间和条件，以改变各结晶面面积的方法，从而制造出多元混色的LED。