11月25-27日，由深圳市龙华区科技创新局特别支持，国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心召开。

11月26日上午，“超宽禁带半导体技术” 分会如期召开。本届分会由苏州锴威特半导体股份有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、英诺赛科科技有限公司协办。

以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料的研究和应用，近年来不断获得技术的突破。超宽带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，在新一代深紫外光电器件、高压大功率电力电子器件等意义重大的应用领域具有显著的优势和巨大的发展潜力。

日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授郭其新，西安电子科技大学教授张金风，瑞士Microdiamant研发部门负责人Christian JENTGENS，郑州大学教授、日本名古屋大学客座教授刘玉怀，西安交通大学副教授李强，北京大学刘放、中国科学技术大学赵晓龙等来自中外嘉宾联袂带来精彩报告。

瑞士Microdiamant研发部门负责人Christian JENTGENS带来了题为“多晶金刚石微纳米粉在SiC晶片加工中的应用及其关键工艺技术”的主题报告，报告表示，碳化硅业务的主要目标是提高效率，并介绍了SiC晶圆加工的个性化解决方案，从厂商角度分享了碳化硅晶圆最重要的特征，如何判断产品品质优劣以及关键的流程步骤等内容。

（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）