11月25-27日，由深圳市龙华区科技创新局特别支持，国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心召开。

11月26日上午，“Micro-LED与其他新型显示技术”分会如期召开。本届分会由山西中科潞安紫外光电科技有限公司、华灿光电股份有限公司、德国爱思强股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司协办。

法国原子能委员会电子与信息技术实验室研究主任Francois TEMPLIER，北京大学教授陈志忠，德国ALLOS Semiconductors首席技术官Atsushi NISHIKAWA，美国Lumiode, Inc.创立者兼总裁Vincent LEE，北方华创PVD事业部LED产品经理郭冰亮，和莲光电科技股份有限公司董事长邰中和，南京大学电子科学与工程学院副院长、教授刘斌，德国Instrument Systems optische Messtechnik GmbH的Tobias STEINEL等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。

北京大学教授陈志忠做了题为“针对每平方厘米kW级别的高功率microLED三维热量传输研究”的主题报告，报告指出，在蓝宝石和GaN衬底上制造了不同尺寸的mLED。 通过正向电压法，热瞬态测量和红外热成像研究了mLED的3D热特性。在电流注入水平为4 kA / cm2的情况下，GaN衬底上的mLED的结温比蓝宝石衬底上的mLED低约10oC，K因子的幅度较小。 红外热成像结果表明，温度均匀分布在GaN衬底上。热瞬态测量表明，GaN衬底上的mLED的台面，外延层和GaN /衬底界面的热阻显着降低。这意味着高质量的GaN晶体和均匀的界面对应于声子的很少散射。结合了GaN基板的小型mLED可以成为高亮度显示和可见光通信的理想选择。

（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）